FMS 2026 于 8 月 4 日至 6 日在美国圣克拉拉举行，SK 海力士、三星和铠侠围绕 AI 系统中的存储瓶颈分别给出不同方案。SK 海力士与闪迪通过 OCP 发布 HBF 首个标准规格，三星展示 400 层以上 BV-NAND 并预览 zHBM 与 zNAND-O，铠侠则将直接冷板液冷引入企业级 SSD。报道还提到，三星 HBM 月产能计划从约 17 万片晶圆提升至约 25 万片，目标在 2026 年底实现。

SK 海力士与闪迪通过 OCP 发布首份 HBF 技术规范，明确了容量、带宽和接口标准。HBF 的定位不是替代 HBM，而是在 HBM 与 SSD 之间增加一层更靠近 xPU 的存储。文章认为，MoE 模型可能成为首批应用场景，但 HBF 相关产品仍处在送样前阶段，短期更应关注闪迪财报、NAND 价格、数据中心业务、利润率和企业级 SSD 进展。

SK海力士在 FMS 2026 大会上宣布，已与 Sandisk 联合发布首个 High Bandwidth Flash（HBF）标准规范，距离双方今年 2 月成立联盟约 6 个月。该标准已通过 OCP 公开，覆盖最高 512GB 容量、最高约 3.0TB/s 带宽及 UCIe 互联接口等关键规格。Google 和 Tenstorrent 已确认加入 HBF 联盟。SK海力士还首次展示第十代 V10 375 层 4D NAND 晶圆及产品，称其能效较前代提升 2.5 倍，预计明年初量产。